ENSchnelle Links
Die Elektronikindustrie ist in der ersten Hälfte dieses Jahres nicht sehr gut, aber auf der Munich Shanghai Electronics Show am 8. Juli ist es extrem heiß, mit mehr als 1670 Ausstellern, mehr als 75.400 Fachbesuchern in der Szene. Eine Reihe von Unternehmen konzentrierte sich auf neue Energiefahrzeuge, Photovoltaik, Energiespeicherung, Robotik, Halbleiter der dritten Generation und andere hochmoderne heiße Bereiche. TI bringt den fortschrittlichsten BMS-Chip im Bereich der Energiespeicherung auf den Markt, und Infineon stellt eine neue Generation der Siliziumkarbid-Technologie vor. An den Chip-Ständen für Automobile, Energiespeicher und Robotik spürte der Personenstrom weiterhin das Tempo der wirtschaftlichen Erholung in der Elektronikindustrie.
TI konzentriert sich darauf, wie saubere Energie in Strom umgewandelt werden kann. Wir beginnen mit der Energieerzeugung, der Energieübertragung, der Energiespeicherung und schließlich der Nutzung von Energie durch die Verbraucher und der Frage, wie wir die Effizienz, Zuverlässigkeit und Sicherheit im gesamten Prozess der Stromverteilung und -verteilung verbessern können. Dies ist die Überlegung von Texas Instruments bei der systematischen Gestaltung neuer Energien.
Herr Tan, TI Systems Manager, sagte: "Wir erleben eine Energiewende, die die Art und Weise, wie wir Energie abrufen, speichern und nutzen, völlig verändern wird. Die Transformation der Energiewirtschaft ist ohne Halbleitertechnologie nicht zu bewerkstelligen: Ob in der Photovoltaik, der Energiespeicherung oder den Ladesäulen, die Halbleitertechnologie spielt eine zentrale Rolle."
Auf der TI-Messe sahen wir einen bidirektionalen Galliumnitrid-Mikrowechselrichter mit 1,6 kW und einem C2000-Baustein, einem Referenzdesign, das vier identische Kanäle unterstützt und über eine C2000-MCU gesteuert wird. Das Design kann an Photovoltaik (PV)-Module oder 48-V-Batteriespeichersysteme (BESS) angeschlossen werden und bietet eine effiziente und flexible Energiemanagementlösung. Vom Laden und Entladen der Batterie bis hin zum endgültigen Wechselrichter kann der Wirkungsgrad jeder Stufe von mehr als 98 % erreicht werden, und die neuen Produkte von TI haben mehr als 99 % auf der Ebene von MPPT und Wechselrichter erreicht. Mit einem leistungsstarken Master-Prozessor bietet der C2000 eine breite Palette von Anwendungen im Bereich der Motorsteuerung, einschließlich präziser ADC-Abtastung, leistungsstarker PWM-Steuerung, ideal für die Stromversorgung und Motorsteuerung.
Neben dem bidirektionalen Mikro-Wechselrichter sehen wir auch TI einen Hochleistungs-Verbundwechselrichter auf den Markt gebracht, der auf dem gesamten Photovoltaik-Panel des Hauses basiert, dieses Produkt basiert auf dem Hybrid-Wechselrichter der Serie GaN 7,2 kW, es kann vom Netz zur Batterie geladen werden, kann aber auch die Batterie an die Netzstromversorgung anschließen, der gesamte Prozess ist mit einem Ende des Photovoltaikmoduls verbunden, ein Ende der Batterie und ein Ende des Gitters. Auf diese Weise können die Energie des gesamten Photovoltaikmoduls, die Kapazität der Batterie und die Energie des Netzes organisch kombiniert werden, und die niedrigsten Kosten für Haushaltsstrom können durch Echtzeitsteuerung geschaffen werden.
Infineon stellt eine neue Generation der Siliziumkarbid-Technologie vor, die CoolSiCTM MOSFET Gen2-Technologie, die wichtige MOSFET-Leistungskennzahlen wie Energie- und Ladungsspeicherung im Vergleich zur vorherigen Generation um 20 % verbessert und damit die Gesamtenergieeffizienz deutlich verbessert. Ausgestellt werden Evaluierungsboards für 1200-V-CoolSiC-MOSFETs, 2000-V-CoolSiC-MOSFETs und Gate-Treiber. Mit seiner überlegenen Leistung und hohen Leistungsdichte kann dieses Produkt die Verluste um 50 % reduzieren und etwa 2 % zusätzliche Energie liefern, ohne die Batteriegröße zu erhöhen, was besonders für leistungsstarke, leichte und kompakte Energiespeicherlösungen von Vorteil ist. Es kann in der industriellen Energiespeicherung eingesetzt werden.
Der globale Markt für optische Speichersysteme (PV-ES) hat in den letzten Jahren ein rasantes Wachstum erlebt. Der Wettbewerb auf dem Markt für optische Speicher beschleunigt sich, und der Schlüssel zum Sieg liegt in der Verbesserung der Leistungsdichte. Die Art und Weise, wie Energiespeicheranwendungen den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte verbessern, hat viel Aufmerksamkeit erregt. Pan, Global Senior Vice President von Infineon, sagte: "Wir glauben, dass Halbleiterlösungen der Schlüssel zum Erreichen der Klimaziele sind und dass Infineon durch Halbleiterlösungen einen kohlenstoffarmen Effekt erzielen kann. Halbleiter mit großer Bandlücke wie SiC und GaN, die relativ klein, dicht und effizient sind, können eine optimale Rolle bei der Lösung von Klimaproblemen spielen."
Im Kontext der globalen Klimaneutralität hat die Energiewende weltweit einen unumkehrbaren Trend gezeigt. China spielt eine unverzichtbare Rolle auf dem globalen Energiespeichermarkt. Laut ESA-Statistik erreichte die neu installierte Kapazität des chinesischen Energiespeichermarktes im Jahr 2023 51 GWh, was etwa 49 % der neu installierten Kapazität des globalen Energiespeichermarktes entspricht, und auch die nächsten fünf Jahre zeigen einen rasanten Wachstumstrend.
Der Kundennutzen von Photovoltaik- und Energiespeichersystemen ist die "drei hoch und eins lang", d.h. hohe Sicherheit, hohe Energieeffizienz, hohe Wirtschaftlichkeit und lange Lebensdauer. Der Batteriemanagement-Chip, der Prozessorchip, das Siliziumkarbid, das Galliumnitrid und andere Halbleitertechnologien spielen eine wichtige Rolle im Energiespeicher-BMS, auf der Münchner Shanghai Electronics Show, bei chinesischen und ausländischen Chipherstellern bei der Energiespeicherung BMS-Chip, MCU-Chip, Leistungsgerät und Isolationstreiberchip-Display, um auf die Bedürfnisse der Endbenutzer der Energiespeicherung zu reagieren. Wir hoffen, dass mehr neue Produkte auf den Markt kommen, um Chinas Photovoltaik- und Energiespeicherindustrie dabei zu helfen, neues Wachstum einzuleiten.
