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Die Elektronikbranche in der ersten Hälfte dieses Jahres war nicht sehr gut, aber die Münchner Shanghai Electronica am 8. Juli war äußerst beliebt, mit über 1670 Ausstellern und mehr als 75.400 Fachbesuchern vor Ort. Einige Unternehmen konzentrierten sich auf innovative Schwerpunkte wie Elektrofahrzeuge, Photovoltaik, Energiespeicherung, Robotik und dritte Generation Halbleiter. TI präsentierte die fortschrittlichste BMS-Chip-Lösung im Bereich Energiespeicherung, während Infineon eine neue Generation von Siliziumkarbid-Technologie demonstrierte. An den Chip-Ständen für Automobil, Energiespeicherung und Robotik herrschte stetiger Andrang, was das Tempo der wirtschaftlichen Erholung in der Elektronikbranche spürbar machte.
TI konzentriert sich darauf, wie man erneuerbare Energie in Elektrizität umwandelt. Wir beginnen mit der Energieerzeugung, -übertragung, -speicherung und schließlich dem Verbrauch von Energie durch die Nutzer sowie wie wir Effizienz, Zuverlässigkeit und Sicherheit im gesamten Prozess der Elektrizitätsverteilung verbessern können. Dies ist die Überlegung von Texas Instruments bei der systematischen Gestaltung neuer Energietechnologien.
Herr Tan, Systemmanager bei TI, sagte: "Wir erleben eine Energiewandlung, die völlig verändern wird, wie wir auf Energie zugreifen, sie speichern und verwenden. Die Transformation der Energibranche ist ohne Halbleitertechnologie nicht möglich, sei es in der Photovoltaik, Energiespeicherung oder Ladepunkten – Halbleitertechnologie spielt eine entscheidende Rolle."
Bei der TI-Ausstellung sahen wir einen Galliumnitrid-1.6KW-Bidirectional-Mikrowandler mit einem C2000-Gerät, einem Referenzdesign, das vier identische Kanäle unterstützt und über eine C2000 MCU gesteuert wird. Das Design kann an Photovoltaik-(PV)-Module oder 48V-Batterie-Energiespeichersysteme (BESS) angeschlossen werden und bietet eine effiziente und flexible Energieverwaltungslösung. Von der Batterieladung und -entladung bis zum finalen Wandler beträgt die Effizienz jedes Stadiums mehr als 98 %, und TIs neue Produkte erreichen auf MPPT- und Wechselrichterebene mehr als 99 %. Mit einem leistungsstarken Hauptprozessor hat die C2000 eine breite Anwendung im Bereich der Motorsteuerung, einschließlich genauer ADC-Abtastung, leistungsstarker PWM-Steuerung, ideal für Stromversorgung und Motorsteuerung.
Neben dem bidirektionalen Mikro-Wechselrichter sehen wir auch, dass TI einen Hochleistungsverbundwechselrichter basierend auf dem gesamten Photovoltaikpanel für das Haus eingeführt hat, dieses Produkt basiert auf dem GaN 7,2KW Serienhybridwechselrichter, es kann vom Netz in die Batterie geladen werden, kann aber auch die Stromversorgung von der Batterie zum Netz realisieren, der gesamte Prozess ist mit einem Ende des Photovoltaikpanels, einem Ende der Batterie und einem Ende des Netzes verbunden. Somit können die Energie des gesamten Photovoltaikpanels, die Kapazität der Batterie und die Energie des Netzes organisch kombiniert werden, und die niedrigsten Kosten für Haushaltsstrom können durch Echtzeitkontrolle geschaffen werden.
Infineon stellt eine neue Generation der Siliciumkarbid-Technologie vor, die CoolSiCTM MOSFET Gen2-Technologie, welche die wichtigsten MOSFET-Leistungsparameter wie Energie und Ladungsspeicherung um 20 % verbessert im Vergleich zur vorherigen Generation und so die Gesamteffizienz erheblich steigert. Auswertungsplatten für 1200V CoolSiC MOSFETs, 2000V CoolSiC MOSFETs und Gattertreiber werden präsentiert. Dank seiner überlegenen Leistung in Bezug auf hohe Leistungsdichte kann dieses Produkt Verluste um 50 % reduzieren und etwa 2 % zusätzliche Energie ohne Erhöhung der Batteriegröße bereitstellen, was insbesondere für leistungsstarke, leichte und kompakte Energiespeicherlösungen von Vorteil ist. Sie können in industriellen Energiespeichern eingesetzt werden.
Der globale Markt für optische Speichersysteme (PV-ES) hat in den letzten Jahren ein starkes Wachstum erlebt. Die Konkurrenz auf dem optischen Speichermarkt nimmt zu, und der Schlüssel zum Erfolg ist die Steigerung der Leistungsdichte. Wie Energiespeikanwendungen die Effizienz und Leistungsdichte erhöhen können, hat viel Aufmerksamkeit gefunden. Herr Pan, Globaler Senior Vice President von Infineon, sagte: "Wir sind überzeugt, dass Halbleitersolutionen der Schlüssel zur Erreichung der Klimaziele sind, und dass Infineon durch Halbleitersolutionen einen niedrigen Kohlenstoffeffekt erzielen kann. Breitband-Halbleiter wie SiC und GaN, die relativ klein, dicht und effizient sind, können eine optimale Rolle bei der Lösung von Klimaproblemen spielen."
Im Kontext der weltweiten Kohlenstoffneutralität zeigt der Energieübergang eine irreversible Tendenz auf globaler Ebene. China spielt eine unverzichtbare Rolle im globalen Energiespeicher-Markt. Laut ESA-Statistiken betrug die neu installierte Kapazität des chinesischen Energiespeicher-Marktes im Jahr 2023 51 GWh, was etwa 49 % der neu installierten Kapazität des globalen Energiespeicher-Marktes ausmacht, und für die nächsten fünf Jahre wird ebenfalls ein starkes Wachstum erwartet.
Der Endkundenwert von Photovoltaik- und Energiespeichersystemen ist die "drei Hochs und ein Lang", das heißt, hohe Sicherheit, hohe Energieeffizienz, hohe Wirtschaftlichkeit und langer Lebenszyklus. Die Batterie-Management-Chip, Prozessor-Chip, Siliciumkarbid, Galliumnitrid und andere Halbleitertechnologien spielen eine wichtige Rolle im Energiespeicher-BMS. Bei der Messe Electronica in München zeigen chinesische und ausländische Chip-Hersteller in Bezug auf Speicher-BMS-Chips, MCU-Chips, Leistungshalbleiter und Isolations-Treiberchips auf, um den Anforderungen der Endnutzer im Energiespeicherbereich gerecht zu werden. Wir hoffen, dass noch mehr neue Produkte lanciert werden und der chinesischen Photovoltaik- und Energiespeicherindustrie neues Wachstum entgegenkommen.
